본 연구에서는 유기물 반도체에서의 전하 수송 특성을 연구하기 위해 TMTSF(tetramethyl-tetraselenafulvalene)를 활성층으로 사용하는 전계 효과 트랜지스터를 제작하였다. 본질적인 전하 수송 특성을 연구하기 위해, 측정 및 분석에 영향을 미치는 외부 요인들(접촉저항, 단 채널 효과 , 쇼트키 컨택 등)을 고려해야만 한다. 전기적 특성을 저하 시키는 grain boundary 영향을 단결정 TMTSF를 사용하여 제거하였다. 동일한 공정으로 제작된 두 가지 패턴을 통해 2-탐침과 4-탐침 측정 결과를 분석하여 접촉저항을 정량화 하였다. 반도체와 금속 컨택의 전기적 특성에 다라 내재적으로 결정되는 쇼트키 장벽(금속의 일함수와 반도체의 이온화 전위의 차)의 크기는 다양한 온도영역에서의 열전자 방출로 인한 전류 특성 분석을 통해 얻었다. 본 발표에서는 TMTSF 반도체의 내재적인 전기적 특성과 여러 외적인 요인에 의한 영향에 대해 논의할 것이다.