KIST 고체물리연구실은 1972년 연구실 이름을 반도체재료연구실 (실장 정원)로 개명하여 명실상부한 반도체물리학 연구의 산실이 된다. 1976년 정원이 한국표준과학연구소 부소장으로 이직하고 연구실장이 민석기로 바뀌면서 새로운 프로젝트로 1978년 Si 단결정성장 연구를 시작하게 된다. 당시로서는 거액인 90만달러 상당의 UNDP 연구자금을 정부로부터 받아 Si 단결정성장, GaAs 단결정성장, MOCVD 에피 결정성장 장비, 하이드라이드 VPE 에피결정성장 장비 등을 도입하여 본격적인 반도체 재료 개발 연구사업을 수행함으로써 국내에서 이 분야 연구중심의 역할을 1990년대 말까지 수행하여 우리나라 반도체 물리학의 도약에 크게 기여하였다. 또 1971년에 발족한 한국과학원(KAIS) 물리학과의 이주천은 비정질 실리콘 분야의 연구를 1970년대 중반 시작하여 이 분야에 많은 연구업적을 쌓았고, 이 연구실에서 배출한 많은 반도체 물리학도들은 2002년 현재도 대학과 국책연구기관 그리고 산업계에서 TFT-LCD나 각종 평판 디스플레이 분야의 연구 업무에 종사하고 있다.
  또 이때 지방의 몇몇 국립대학에서도 반도체물리학 분야의 연구를 시작하였는데, 그 일례로는 경북대 물리학과의 라병욱은 아주 간편하고 효율적인 LPE 장비를 자체 제작해서 AlGaAs 에피층을 성장시켜 이의 물성연구를 열정적으로 하였고, 전남대 물리학과의 김화택은 열악한 환경 속에서도 Ⅱ-Ⅵ,Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ 찰코게나이드 화합물 반도체의 단결정을 손수 제작한 전기로로 성장하여 이의 전기 광학적 성질을 측정, 2002년 현재까지도 많은 논문을 발표하고 있다.
  한편 이시기는 1980년대 중반부터 국내 싼 임금의 노동력을 이용하려는 미국의 많은 반도체업체가 국내에 진출하여 조립포장공정만을 행하고 있었는데, 국내 최초로 삼성전자(주) 반도체 사업본부의 전신인 한국 반도체(주)(사장 강기동)가 1975년에 가동, 전자손목시계용 CMOS칩 반도체 공정을 시작함으로써 우리나라도 반도체 산업국가로 들어가게 되었다.
  고체물리학분과회는 1975년 6월 9일에 한국과학원에서 처음 고체물리심포지엄을 개최하고 그후 매년 여름에 심포지엄을 개최하였는데 그중 제2회(1976.9.24-25)는 동국대학교에서 비결정성 반도체 주제로 개최하였다.